云南8m的晶振

下游应用驱动，晶振市场回暖物联网经过多年的酝酿，随着5G技术商业化的临近，物联网产品的大规模应用也近在眼前。有市场便会有需求，随着物联网范围的不断扩大，伴随着物联网而生的NB-IoT技术自然受到众厂商的瞩目，更何况该技术还准备，预防可能出现的风险。1.全球石英晶振需求量逐年上升目前，我国电子信息产业的国际地位不断稳固和提高。《中国电子信息产业统计年鉴》数据显示，2018年我国电子信息行业销售收入为169027亿元，其中电子制造业收入规模达到105966亿元，出口金额为58931亿元，进口金额为41898亿元，市场规模（收入+进口-出口）为88933亿元。尽管2018年全球贸易局势错综复杂，消费电子市场疲软不振，但我国电子信息制造业通过结构调整和转型升级，走高质量发展之路，全国规模以上电子信息制造业主营业务收入仍逆势增长9.0%。晶体通过压电效应产生特定频率信号。云南8m的晶振

低成本的热敏晶体可在一定程度上替代温补晶振。热敏晶体和温补晶振都是在特殊环境下使用的频率元件，可以改善其频率温度补正。热敏晶体的原理是在普通贴片晶振基础上增加一颗热敏电阻以及一颗变容二极管，利用变容二极管的容变功能与热敏的传感功能相结合，形成带有温度传感功能的热敏石英晶振。热敏晶振在工作过程中受到了温度感应时可以使晶体产品在工作过程中保持一个精细的不变的温度，使晶振产品的精度给CPU提供信号的同时又能避免因为温度的问题给晶振造成频率较大的偏差。带有温度传感的热敏晶振是温补晶振的替代品，其成本低廉、生产快捷，但精度弱于温补晶振。例如，TCXO温补晶振的频率偏差在±0.5ppm 的范围，晶振给CPU控制中心提供的信号接收到的线路导航精细偏差在3-5米范围内；而热敏晶振频率偏差为±10PPM，导航偏差约为200米。青海遥控器 晶振MEMS技术用于超小型音叉晶体，使体积压缩至原有产品十分之一。

替代逻辑三：突破光刻技术，推进小型化、高精度发展（1）MEMS技术可解决传统机械加工的局限高稳定性的晶体元器件晶体单元/晶体振荡器按照切型主要分为三种：1）kHz级的晶体单元采用音叉型结构振动子；2）MHz级的晶体单元采用AT型结构振动子；3）百MHz超高频晶体单元采用SAW型振动子，温度特性曲线和音叉型振动子类似。随着下游产品对晶振抗振性、相位噪声等、尺寸小型化等参数要求越来越高，传统机械加工的局限性逐渐显露。音叉型晶振缺陷：单元尺寸压缩后将难于取得良好的振荡特性。当石英振动子的尺寸从1.2×1.0mm减小到1.0×0.8mm时，串联电阻值（CI值）会升高30%左右，也就是说音叉型晶体单元尺寸压缩后将难于取得良好的振荡特性。

刚学单片机的学长告诉我单片机的晶振电路中就是用22pf或30pf的电容就行，听人劝吃饱饭吧，照着焊电路一切ok，从没想过为什么，知其所以然而不知其为什么所以然，真是悲哀，这些天状态好像一直不太好，也难以说清楚为什么，前几天跟着老师去别的实验室听课，其实也就是听一听老师和师傅给别的实验室的同学讲嵌入式的种种，还有就是那天师傅单独和谈了挺长时间，我从心底感谢他们，他们让我懂得反思，调整，我对自己持有怎么的学习态度和应该如何付诸于行动有了新的理解，这远比单纯的交给我一些知识要好很多。说起这个小知识点本人还有这么个经历和大家一块分享一下吧。话说我曾经帮一女生做东西，其实超级简单就是个ATMEGAL16单片机的温度采集系统，我焊工虽然一般但给女生帮忙么，还是比较用心的应该没问题的，事实却不尽人意焊出来的较小系统竟然不好使，我把电路查了几遍也没找出错误，然后就怀疑是不是单片机就锁死了，换了几块单片机也不好使，自己还一直认为我在同一届的同学中算还学得可以的，真是有点可笑，发现，在我原件短缺的情况下我糊里糊涂把两个0.1uf的电容焊在了晶振电路中，导致晶振不起振所以整个电路就表现为不好使，换成22pf的电容马上就好使了小尺寸晶振“受制于国外。

晶振电路中为什么用22pf或30pf的电容而不用别的了，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，5404非门和R1实现一个NPN的三极管，接下来分析一下这个电路。5404必需要一个电阻，不然它处于饱和截止区，而不是放大区，R1相当于三极管的偏置作用，让5404处于放大区域，那么5404就是一个反相器，这个就实现了NPN三极管的作用，NPN三极管在共发射极接法时也是一个反相器。大家知道一个正弦振荡电路要振荡的条件是，系统放大倍数大于1，这个容易实现，相位满足360度，与晶振振荡频率相同的很小的振荡就被放大了。接下来主要讲解这个相位问题：5404因为是反相器，也就是说实现了180°移相，那么就需要C1，C2和Y1实现180°移相就可以，恰好，当C1，C2，Y1形成谐振时，能够实现180移相，这个大家可以解方程等，把Y1当作一个电感来做。也可以用电容电感的特性，比如电容电压落后电流90°，电感电压超前电流90°来分析，都是可以的。当C1增大时,C2端的振幅增强，当C2降低时，振幅也增强。有些时候C1，C2不焊也能起振，这个不是说没有C1，C2，而是因为芯片引脚的分布电容引起的，因为本来这个C1，C2就不需要很大，所以这一点很重要。接下来分析这两个电容对振荡稳定性的影响。光刻工艺是生产高基频晶振的关键。广西石英晶振

石英晶体振荡器的基本原理。云南8m的晶振

不起振造成整机无电的原因有：●晶体本身原因：晶片碎裂、寄生、DLD不良、阻抗过大、频率不良、晶体牵引力不足或过大。●电路原因：其他元件不良、负载电容或电路设计或加工造成的杂散电容离散度大、晶体两端电压不足、电路静态工作点有问题。晶振损坏在工作电路中，如果晶振损坏会有哪些特征现象呢？●彻底停振：如果晶振停振，对手机而言可能无法正常开机，就像心脏突然停止跳动，以该晶振为时钟信号的电路都会停顿停止工作。●具有不稳定性：引起不稳定性的原因有很多，可能是晶振质量问题，更多原因则是晶振参数与电路参数不相匹配。例如系统要求精度20ppm，而晶振参数只有50ppm；再或者匹配电容要求12PF，而实际电容只有9PF诸多原因。云南8m的晶振

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